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Laser

Laserchips, Laserbarren und Laserdioden, IR Pulslaserdioden vom Premiumhersteller.

Wir spezifizieren bzw. charakterisieren einzelne Laserdioden nach Wellenlänge und Leistung auf Kundenwunsch.

  Produkt Gehäuseform Typ. Wellenlänge Wavelength Unit Optische Leistung Schwellstrom Strahlmodus Monitor Diode Datenblatt Anfrage
LA LS56DRSM1 50 LA LS56DRSM1
TO56 638 nm 180 mW 70 mA SM no
LA LS56DRSM2 50 LA LS56DRSM2
TO56 638 nm 200 mW 60 mA SM no
LA LM90DRSX1 50 LA LM90DRSX1
TO90 640 nm 2100 mW 550 mA MM no
LA LS56HRSM2 50 LA LS56HRSM2
TO56 650 nm 200 mW 55 mA SM no
LA LS56HRSM3 50 LA LS56HRSM3
TO56 650 nm 200 mW 55 mA SM no
LA LS56HRSM1 50 LA LS56HRSM1
TO56 660 nm 95 mW 40 mA SM no
LA LS33HRCL1 50 LA LS33HRCL1
TO33 660 nm 7 mW 17 mA SM yes
LA LS56HRCL1 50 LA LS56HRCL1
TO56 660 nm 10 mW 15 mA SM yes
LA LSLFHRSM1 50 LA LSLFHRSM1
LCP 660 nm 90 mW 42 mA SM no
LA LM0609AIV3 50 LA LM0609AIV3
Chip 680 nm 4 mW 4 mA MM no
SPL BY81 12 SPL BY81-12-34-00C (803+/-3nm)
Barren 808 nm 250000 mW 22000 mA MM no
TO56 LA LS56NICM1
TO56 830 nm 210 mW 35 mA SM yes
TO56 50 LA LS56NISH1
TO56 830 nm 250 mW 48 mA SM no
LA LM08NIV3 50 LA LM08NIV3
Chip 850 nm 6 mW 2 mA MM no
LA LM2631NIV3 50 LA LM2631NIV3
Chip 850 nm 1000 mW 180 mA MM no
LA LM5659NIV3 50 LA LM5659NIV3
Chip 850 nm 4000 mW 800 mA MM no
LA LM40NIV3 50 LA LM40NIV3
Chip 850 nm 2500 mW 500 mA MM no
V107C041A V107C041A-850
SMD 850 nm 3700 mW 1000 mA MM no
V107C041A V107C021A-850
SMD 850 nm 4000 mW 950 mA MM no
V107C000A 850 V107C000A-850
SMD 850 nm 4000 mW 1400 mA MM no
V102C121A 850 V102C121A-850
SMD 850 nm 2000 mW 460 mA MM no
LA LM29NIV2 50 v2 LA LM29NIV2
Bare die 850 nm 1200 mW 350 mA MM no
LA LM40NIV2 50 v2 LA LM40NIV2
Bare die 850 nm 2400 mW 700 mA MM yes
V102C031A V102C021A-850
SMD 850 nm 2000 mW 460 mA MM no
V107C031A V107C031A-850
SMD 850 nm 4000 mW 1000 mA MM no

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